作者：陈昊瑜,田志 单位：中国半导体行业协会 出版：《中国集成电路》2017年第12期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJCDI2017120140 DOC编号：DOCJCDI2017120149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 随着市场对于摄像设备的更多和更高性能的需求，基于互补金属氧化物晶体管的图像传感器CIS(CMOS image sensor)由于其优异的性能正逐步取代原有的电荷耦合器件(CCD)。华力55CIS平台将55LP(55纳米低功耗)工艺的逻辑区和客户的像素区结合起来，通过引入ONO(氧化硅/氮化硅/氧化硅)的硬掩模工艺，实现对像素区对高能量注入的阻挡和优化的多晶硅形貌。在后续的工艺中，多晶硅的再氧化，逻辑区输入/输出(IO)器件轻掺杂漏注入和硬掩膜的去除顺序会引起对核心器件区域，输入/输出器件(IO33)区域和像素区的硅表面的损伤，需要找出优化的工艺方案来确保器件性能和可靠性。本文通过对多晶硅的再氧化，逻辑区IO器件轻掺杂漏注入和硬掩膜的去除顺序的研究，找出了优化的工艺顺序，并对器件性能，可靠性进行评估。

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