作者:侯舒志,姚素英,周津,刘激扬,徐江涛,胡燕翔 单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版:《固体电子学研究与进展》2007年第01期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGTDZ2007010240 DOC编号:DOCGTDZ2007010249 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 针对CMOS图像传感器滚筒式曝光模式,研究采用多种曝光时间,实现多线段拟合像素输出特性曲线,扩展传感器的动态范围,并改善其平滑性,提高图像清晰度;应用电源保护环、像素二次采样等方法消噪。电路选用charter 0.35μm工艺,经仿真验证满足设计要求。

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