作者:胡明,冯有才,尹英哲,陈鹏 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》2007年第Z1期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ2007Z10310 DOC编号:DOCBDTQ2007Z10319 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 采用直流反应磁控溅射法,在未抛光的Al2O3基片上制备WO3薄膜,在干燥空气中经过热处理;利用SEM观察薄膜表面形貌;通过XRD测量,对薄膜的晶体结构进行分析;薄膜氢敏特性测试采用静态配气法。经过400℃热处理,当工作温度在270℃时,对体积分数为3×10-4%H2的灵敏度达到了77,稳定性较高、选择性好、响应时间在15s以内。WO3薄膜是一种较理想的氢敏材料,在氢敏传感器的设计中必定会得到足够的重视和广泛应用。

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