作者：龚树萍,邱原,周东祥 单位：中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版：《电子元件与材料》2007年第11期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZAL2007110040 DOC编号：DOCDZAL2007110049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以SnCl2&#183；2H2O、CuCl2&#183；2H2O、SbCl3和无水乙醇为原料，采用sol-gel浸渍提拉法(sol-geldip-coatingmethod，SGDC)制备了纳米晶气敏薄膜。在多个工作温度和气体浓度下测试了薄膜对H2S的气敏特性。结果表明：r(Cu：Sb：Sn)为1：5：100，工作温度为140℃时，薄膜对H2S有很好的灵敏度和选择性，敏感浓度下限可达0.7&#215；10–6。

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