作者：王世清,姜彤,侯占民 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2006年第07期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2006070100 DOC编号：DOCCGQJ2006070109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍了单晶硅压力传感器温度漂移的机理，阐述了采取串并联电阻网络和有源电路分段等综合补偿方法的补偿原理。实验结果表明：在-45~85℃温区内，补偿后，热零点漂移和热灵敏度漂移从&#177；0.5%FS/℃提高到&#177；0.014%FS/℃。

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