作者:顾聚兴 单位:中国科学院上海技术物理研究所 出版:《红外》2006年第01期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHWAI2006010150 DOC编号:DOCHWAI2006010159 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 用互补金属氧化物半导体(CMOS)的制造方法来生产成像传感器列阵芯片,这种可能性在20世纪80年代末得到了验证。从那时起,以 DRAM成本模型把所有的模拟和数字成像电路都集成在单片上一直是CMOS传感器设计人员梦寐以求的目标。然而,在此期间,CCD器件的制造商不断地减小CCD传感器列阵的尺寸并降低其价格以使CMOS传感器在市场上站不住脚。

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