作者：任耀辉,谭秋林,欧文,明安杰,熊继军,陈大鹏 单位：中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版：《电子元件与材料》2015年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZAL2015050270 DOC编号：DOCDZAL2015050279 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 结合等离子体处理制备黑硅技术，研究了一种可用于非色散红外吸收光谱(non-dispersive infra-red，NDIR)气体传感器的微机电(micro-electro-mechanical systems，MEMS)红外光源。相较于其他MEMS红外光源，该光源以新型纳米黑硅材料作为辐射层，黑硅的近黑体特性使光源在3~5μm波段发射率可达到98%以上。光源采用四梁固支悬浮薄膜结构，可有效减小辐射区向硅基底的热传导；采用深反应离子刻蚀(DRIE)进行背面释放，有效减小了器件的尺寸。经测试，该光源的光谱辐射特性和调制特性均能满足NDIR气体传感器的要求，且简单的制备工艺使该光源易于实现大规模重复性制造，利于实现产业化推广。

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