作者：张检民,张震,冯国斌,师宇斌,程德艳,赵军 单位：中国光学学会 出版：《光学学报》2015年第03期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGXXB2015030230 DOC编号：DOCGXXB2015030239 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 电荷耦合器件(CCD)图像传感应用中，通过非实测手段获取器件的干扰效应阈值非常重要，有时甚至是唯一手段。分析了行间转移型CCD单像素饱和与串扰等典型激光干扰效应的影响因素，研究了垂直拖尾、光晕和串扰3种效应的物理本质间的内在联系与区别，初步证实垂直拖尾系数对串扰效应而言为非敏感参数。提出了基于饱和信号电荷量、像元尺寸、量子效率以及光晕抑制率等器件参数，从现有的效应数据预估相似器件单像素饱和阈值、串扰线饱和阈值的外推方法。对柯达面阵CCD器件的饱和阈值测量与干扰效应实验显示，预估结果与实验值之间的偏差量分别为3%和20%，属于可以接受的范围，表明预估方法切实可行。

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