作者：吴桂初,章上聪,舒亮 单位：中国电子学会 出版：《电子测量与仪器学报》2015年第05期 页数：9页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZIY2015050170 DOC编号：DOCDZIY2015050179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 研究了栅片灭弧室中面向不规则导体的电-磁耦合瞬态建模方法，通过该模型分别求解了栅片灭弧室的稳态和瞬态响应过程。为对模型进行验证，建立了一套可以对栅片灭弧室灭弧效率直接进行测量和评估的测试系统，通过数控瞬时恒流源提供激励电流，利用不同空间位置分布的霍尔芯片，对断路器灭弧室内的磁感应强度进行直接测量，并对其灭弧效率进行计算。试验结果显示所建立的耦合模型可以较好预测栅片灭弧室中的磁通密度大小及其分布。在此基础上研究了不同磁导率和电导率对于灭弧室效率的影响。仿真结果表明，栅片灭弧效率随着栅片磁导率的增大而增加。进一步提高栅片的磁导率，其灭弧效率趋近饱和。当电导率处于较小值时，对栅片灭弧室的效率影响较小；进一步增大栅片的电导率，其灭弧效率将会降低。提高灭弧栅片的电导率可以减小灭弧室内吹弧磁场和磁吹弧力的瞬态响应峰值，增大其瞬态响应时间。

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