《霍尼韦尔在中国市场推出纳安级超低功耗磁阻传感器集成电路》PDF+DOC
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单位:中国电子质量管理协会;信产部第五研究所
出版:《电子质量》2014年第06期
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZZN2014060190
DOC编号:DOCDZZN2014060199
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《纳安级超低功耗磁阻传感器集成电路》PDF+DOC2014年第06期
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《霍尔效应传感器成为检测磁性新宠》PDF+DOC1998年第08期 Bill Travis
《霍尔效应磁敏集成传感器的应用》PDF+DOC1985年第03期 余国荣,张正芳
《霍尔元件在角位移传感器中的应用》PDF+DOC2012年第04期 刘荣先
《基于磁阻传感器的无线交通量数据采集系统》PDF+DOC2011年第02期 蒋磊,王振翀,张晨
《莱姆电子:持续创新的电量传感器先导者》PDF+DOC2014年第11期 李智
传感器领域的领导厂商霍尼韦尔日前宣布,在业内率先发布超低功耗磁阻传感器集成电路。该些传感器能耗极低,仅为360nA,却能提供最高等级的磁灵敏度(典型应用低至7高斯),相较于其他广泛应用的磁技术,新引入的传感器能为设计工程师带来许多优势。新型纳安系列磁阻传感器集成电路的灵敏度及成本与磁簧开关相同,但外形更小巧、运行更持久、性能更可靠,十分适合蓄电池驱动装置。在此之前,因为低能耗要求及高气隙需求,人们只能选择磁簧开关。相较于霍尔效应传感
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