作者：邓小双,张顺平,赵野,杨超群,熊雅 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2014年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2014020010 DOC编号：DOCCGSJ2014020019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用丝网印刷技术，制备了纳米SiO2掺杂的In2O3厚膜气敏传感器，并通过加速寿命试验对乙醇气氛下传感器的稳定性进行探究。通过长期测试发现纳米SiO2的掺入明显地提高了In2O3气敏传感器的稳定性。此外，当SiO2的掺杂浓度控制在5wt%左右时，In2O3气敏传感器的气敏性能也有了很大的提高。结合实验数据，对SiO2提高In2O3气敏传感器稳定性与敏感性的微观机理做了深入分析。

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