作者：吴治军,李毅强,阳怡伟 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2014年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2014050040 DOC编号：DOCBDTG2014050049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出了一种基于6T像素结构的全局曝光CMOS图像传感器。通过采用PPD结构的6T像素、高复位电平和低阈值器件，提高了动态范围，并优化设计了像素单元的版图，使之获得较高的填充系数；模拟读出电路部分，通过采用双采样、增益放大和减小列级固定模式噪声(FPN)处理，以及对列选控制电路进行优化，减小了对全局PGA的运放设计要求。芯片的工作频率为20MHz，动态范围为66dB，实现了全局曝光方式CMOS图像传感器的设计。

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