作者:施朝霞,李如春 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》2014年第04期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG2014040050 DOC编号:DOCBDTG2014040059 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 基于标准CMOS工艺,可实现单结深光电二极管传感器(p+/n-well、n-well/p-sub和n+/p-sub)和双结深光电二极管传感器(p+/n-well/p-sub)。建立了双结深光电二极管传感器的光电响应数学模型,仿真了四种结构的光敏响应。采用上华0.5μm CMOS工艺实现了p+/nwell和p+/n-well/p-sub两种结构,传感面积为100μm×100μm。p+/n-well型结构在400nm波长,60lux光强下光电流为1.55nA,暗电流为13pA,p+/n-well/p-sub型结构在同等条件下光电流为2.15nA,暗电流为11pA。测试表明,设计的双结深光电传感器具有更高的灵敏度,可用于微弱的生物荧光信号检测。

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