《基于原位形成p-n结的新型光电化学传感器检测Hg~(2+)》PDF+DOC
作者:刘康丽,董玉明,束军仙,王光丽
单位:中国广州分析测试中心;中国分析测试协会
出版:《分析测试学报》2014年第08期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFTEST2014080090
DOC编号:DOCTEST2014080099
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《金纳米复合材料的光电化学传感器及其应用》PDF+DOC2016年第01期 靳浪平,哈丽旦·居马汗,蒋中英
《光电化学传感器的构建应用技术》PDF+DOC2016年第06期 刘壮,兰德瑞
《纳米TiO_2/β-CD膜光电化学传感器的制备及检测》PDF+DOC2008年第03期 彭芳,吴泓毅,司士辉
《光电化学传感器的构建及应用》PDF+DOC 孙兵,艾仕云
《新型光化学传感器测定鞍钢排污口汞离子含量》PDF+DOC2016年第04期 赵鑫
《纳米材料传感器及其在卫生检验中的应用》PDF+DOC2015年第16期 李阳
《基于多孔硅的Hg~(2+)荧光化学传感器》PDF+DOC2015年第02期 王芳,郁有祝,彭宏艳,郭玉华
《过渡金属氧化物在光电化学传感器中的应用研究进展》PDF+DOC 杨萍,钟立,魏小平,李建平
《基于量子点的传感薄膜的制备与应用进展》PDF+DOC2014年第12期 夏慧芸,宋莉芳,史苗苗,杜艺星,郭怡菲,卢佳佳,吴月月,王沛华,黄天逸
《采用光电化学方法检测甲基对硫磷在番茄中的残留》PDF+DOC2014年第12期 董晓娅,邱白晶,管贤平
利用简单方法合成了水溶性的巯基乙酸修饰的硫化镉(CdS)量子点。通过静电吸附,用聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDDA)将CdS修饰到氧化铟锡(ITO)电极上。在电子供体三乙醇胺(TEA)的存在下,CdS修饰的ITO电极具有稳定的阳极光电流。Hg2+原位吸附于CdS表面形成的p型半导体HgS与n型半导体CdS形成p-n结,能够促进电子-空穴的分离与电荷传输,使CdS量子点的光电流增大。研究了反应前驱体中Cd,S摩尔比、反应溶液的pH值、回流时间等条件对所合成的量子点与Hg2+相互作用的影响。此外,还研究了电解质溶液的pH值、外加电压、反应时间对Hg2+增大CdS量子点光电流的影响。基于此,构建了灵敏检测Hg2+的光电化学传感器。该传感器对Hg2+响应的线性范围为4.0×;10-8~2.0×;10-5mol/L,检出限为2.4×;10-8mol/L,回收率为98.3%~103.5%。
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。