作者:陈向前,彭滟,方丹,周云燕,刘姝祺,蔡斌,朱亦鸣 单位:中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版:《红外与激光工程》2014年第02期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHWYJ2014020110 DOC编号:DOCHWYJ2014020119 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《黑硅红外光源传感器系统的设计》PDF+DOC2017年第01期 张春恒,彭旭锋,郇弢,刘文怡 《斯特林制冷机真空环境模拟试验》PDF+DOC2000年第04期 高军,刘兆军,邢洁,洪国同
  • 在真空环境下利用飞秒激光制备的“黑硅”材料,其形貌与SF6气氛中制备的“黑硅”材料有着很大的区别。为了研究这种真空环境下制备的微构造硅的相关光学特性,通过改变入射脉冲能量研究其峰值变化以及吸收特性,发现当峰值达到一定高度时其对200~2500nm波段的光波有95%左右的吸收效率,这与SF6气氛中制备的微构造硅的吸收效率不相上下。最后对两种环境下制备的“黑硅”样品进行退火处理,发现真空环境下制备的“黑硅”材料比SF6气氛中制备的“黑硅”样品具有更好的耐退火性。这些结果对于利用真空环境下制备的微构造硅制作红外传感器具有重要意义。

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