作者:李豫东,汪波,郭旗,玛丽娅,任建伟 单位:中国科学院长春光机所;中国仪器仪表学会 出版:《光学精密工程》2013年第11期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGXJM2013110070 DOC编号:DOCGXJM2013110079 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《CMOS APS器件及其在星敏感器中的应用》PDF+DOC2004年第05期 李杰,刘金国,刘亚侠,郝志航 《CCD图像传感器及其研究进展》PDF+DOC1992年第03期 杨亚生 《基于CMOS APS高精度太阳敏感器》PDF+DOC2006年第09期 朱鸿泰,孙胜利,陈桂林 《CCD固体摄像器件的发展现状》PDF+DOC2004年第03期 程开富 《光锥与CCD耦合效率的理论分析》PDF+DOC2004年第03期 王耀祥,田维坚,黄琨,张薇,汪丽 《光电成像与器件》PDF+DOC2001年第04期 《图像传感器技术的专利状况分析——CCD图像传感器技术的重点专利分析》PDF+DOC2012年第S2期 杨隆鑫,侯冠华,左恬源 《CMOS摄像机与CCD摄像机的比较》PDF+DOC2012年第16期 雷玉堂 《CCD成像最新进展和学术挑战》PDF+DOC2007年第30期 胡学友,张林 《空间CCD图像传感器辐射损伤评估方法》PDF+DOC2013年第06期 高欣,杨生胜,冯展祖,张雷
  • 研制了中荷耦合器件(CCD)与互补金属氧化物半导体有源像素图像传感器(CMOS APS)辐射效应测试系统,用于研究CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应并准确评估器件的空间辐射环境适应性。该系统采用光机电一体化结构设计,包括光电响应性能检测、光谱检测、控制及数据处理3个分系统,可对器件的光电响应性能、光谱特性进行全面的定量测试与分析。系统的光谱分辨率为1nm,工作波段为0.38~1.1μm。目前,该系统与新疆理化所现有的辐照装置结合,构成了光电成像器件辐射效应模拟试验与抗辐射性能评估平台,已为国产宇航CCD与CMOS APS图像传感器的研制、空间应用部门的成像器件选型工作提供了多次考核评估试验。应用情况表明,该系统可定量检测与评价CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应与抗辐射性能,为深入开展光电成像器件的辐射效应研究提供了完善的试验研究条件。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。