作者：李璐 单位：河北省科技咨询服务中心 出版：《》 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFKJFT2013240860 DOC编号：DOCKJFT2013240869 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 宽禁带半导体主要是指禁带宽度(导带最低点与价带最高点之间的能量差)大于2.2电子伏特的半导体材料。以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体材料具有高击穿电场强度、高截止频率、高热传导率、高结温和良好的热稳定性、强抗辐射能力等特点，这些特点的具备使得其可以在传统器件所不能胜任的高温、强辐射环境中得到应用。随着器件设计技术和制造工艺的不断进步，宽禁带半导体器件必将逐步取代传统的半导体器件。

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