作者：俞志根,王秀林 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2013年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2013060030 DOC编号：DOCCGSJ2013060039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 以AS5045集成电路芯片为核心，采用AlNiCo稀土磁铁产生磁场，结合405B集成电路设计了一种可输出数字量、模拟量或脉冲信号的新型角位移传感器，在结构上实现了机与电的隔离，有效提升了传感器的抗干扰能力。与现有的电阻式角位移传感器相比，能实现非接触式的360&#176；全范围测量，最高分辨率可达0.09&#176；，理论寿命无限长，可替代现有各种类型的角位移传感器。

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