作者:刘涛,魏小平,李建平 单位:武汉大学;北京大学;南京大学 出版:《分析科学学报》2013年第01期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFFXKX2013010070 DOC编号:DOCFXKX2013010079 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 用巯基乙酸处理金电极表面进行羧基化。采用化学聚合法,用3-氨丙基三乙氧基硅氧烷(APTES)做功能单体,正硅酸乙酯(TEOS)做交联剂,氨水做引发剂,在金电极表面合成土霉素的纳米SiO2分子印迹膜,制备了土霉素电化学传感器。采用铁氰化钾作为离子探针,建立了一种检测土霉素的方法。研究表明:土霉素浓度在3.0×10-7~4.5×10-6 mol/L范围内,铁氰化钾的差分脉冲伏安法的峰电流值随土霉素的浓度增加而线性降低,检出限为3.2×10-8 mol/L。该分子印迹膜克服了高分子膜模板分子不易洗脱,且反复洗脱几次后印迹空穴变形坍塌的缺点,因而可以作为目标分子土霉素理想的分子印迹材料。

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