作者:陈克城,詹自力,陈翔宇,闫贺艳,陈志强 单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版:《电子元件与材料》2017年第04期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZAL2017040110 DOC编号:DOCDZAL2017040119 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《Y沸石改善SnO_2气体传感器性能的研究》PDF+DOC2017年第12期 黄庆盼,孙炎辉,赵梓尧,王小风,王兢 《SnO_2非晶薄膜的敏感特性及其机理研究》PDF+DOC1998年第11期 王雅静,戴国瑞,姜月顺,李铁津 《掺杂对MOCVD—SnO_2薄膜气敏性能的影响》PDF+DOC1996年第01期 赵世勇,刘俊福,张为灿,淳于宝珠 《碱土金属掺杂SnO_2气体传感器》PDF+DOC1992年第01期 傅敏恭,刘传忠 《基于SnO_2气体传感器对CO的动态检测及原理分析》PDF+DOC2005年第01期 孟凡利,黄行九,孙宇峰中国科学院合肥智能机械研究所,中国科学院研究生院,中国科学院合肥物质科学研究院,刘锦淮 《SnO_2基CO传感器的研究进展》PDF+DOC2010年第03期 付永春 《自组装型SnO_2纳米线超低浓度H_2传感器的研制》PDF+DOC2008年第06期 王冰 《半导体一氧化碳敏感材料研究进展》PDF+DOC2007年第04期 熊力,吴展,刘玉洁 《基于信息融合技术的气体识别方法的研究》PDF+DOC1999年第04期 王祁,聂伟,谢声斌 《燃气报警器质量分析评估》PDF+DOC1999年第04期 蔡可芬,庄牧林
  • 研究了以Si掺杂Sn O_2作为热线型气体传感器补偿元件材料来提高Sn O_2基气体传感器抗湿度干扰能力。采用共沉淀法制备Si掺杂Sn O_2作为补偿元件材料,Sb掺杂Sn O_2作为敏感元件材料,并对所制备材料进行表征。考察了Sb掺杂量对传感器响应值影响和Si掺杂Sn O_2对抗湿性能影响,同时讨论了抗湿性能机理。结果表明,敏感元件材料中摩尔比Sb/Sn为6%使Sn O_2基传感器对体积分数1000×10~(-6) H2灵敏度由108 m V提高至435 m V,补偿元件材料摩尔比Si/Sn为0.7%使湿度引起的响应值相对误差降至8.8%。

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