《Si掺杂SnO_2基气体传感器抗湿性能研究》PDF+DOC
作者:陈克城,詹自力,陈翔宇,闫贺艳,陈志强
单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会
出版:《电子元件与材料》2017年第04期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZAL2017040110
DOC编号:DOCDZAL2017040119
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研究了以Si掺杂Sn O_2作为热线型气体传感器补偿元件材料来提高Sn O_2基气体传感器抗湿度干扰能力。采用共沉淀法制备Si掺杂Sn O_2作为补偿元件材料,Sb掺杂Sn O_2作为敏感元件材料,并对所制备材料进行表征。考察了Sb掺杂量对传感器响应值影响和Si掺杂Sn O_2对抗湿性能影响,同时讨论了抗湿性能机理。结果表明,敏感元件材料中摩尔比Sb/Sn为6%使Sn O_2基传感器对体积分数1000×;10~(-6) H2灵敏度由108 m V提高至435 m V,补偿元件材料摩尔比Si/Sn为0.7%使湿度引起的响应值相对误差降至8.8%。
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