作者：姜慧强,陈旭斌,莫炯炯,王志宇,刘家瑞,陈华,郁发新 单位：中国电子学会 出版：《电子学报》2017年第04期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZXU2017040300 DOC编号：DOCDZXU2017040309 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍了一种CMOS数字温度传感器的设计方法，并针对因工艺偏差所导致一致性差、成品率低的问题提出一种新型自校正技术.利用自校正技术可以有效抑制温度传感器核心模块的基准电压随工艺波动而变化，改善芯片之间的一致性.文中设置不同的工艺角对基准电压源进行仿真，通过对比开启与关闭自校正模块状态下基准电压的最大偏差，验证了自校正技术的有效性.本设计采用CSMCB5212 0.5μm CMOS工艺实现，提供SPI数字接口，输出10-bit温度值.实际测试结果表明该温度传感器在-35℃~105℃温度范围内温度精度&#177；1℃，整体功耗小于0.6mW。

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