作者：塔力哈尔·夏依木拉提,吐尔迪·吾买尔,尚志勇,冯艳,谢宁,彭敏 单位：中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版：《电子元件与材料》2017年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZAL2017030110 DOC编号：DOCDZAL2017030119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用电子束刻蚀、机械探针贴膜等方法，构筑了基于气体绝缘层结构的单根酞菁铜纳米线FET式NO_2气体传感器。结果发现，在室温条件下，器件的检测极限为1&#215；10~(–6)(NO_2体积分数)，其灵敏度高达2 172%，该结果相比于薄膜气体传感器检测极限降至十分之一。除此之外，该器件在室温条件下可以恢复至基线，在低浓度、室温监测方面有着较好的优势。

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