作者：王远,周怡妃,王小龙,吴付岗 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2017年第11期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2017110290 DOC编号：DOCCGQJ2017110299 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为了提高压电传感器测量系统的集成度，采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺，设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流输出电路。仿真结果表明：芯片具有输入阻抗高，单位增益带宽大，总增益可调范围广等特点，在12~24 V宽供电范围下可正常工作，耗电仅为3.1 m A。

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