作者：杨志博,曹培江,韩舜,刘新科,柳文军,贾芳,曾玉祥,许望颖,朱德亮,吕有明 单位：中国物理学会发光分会;中科院长春光机所 出版：《发光学报》2017年第08期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFFGXB2017080080 DOC编号：DOCFGXB2017080089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用化学气相沉积(CVD)方法在SiO_2/Si衬底生长了ZnO纳米线阵列，纳米线长约为15μm，直径为100~500 nm。通过改变溅射沉积时间(0~150 s)，在ZnO纳米线表面包覆了不同厚度的Pd薄膜。在Ar气氛中，经800℃高温退火后，制备出Pd颗粒表面修饰的ZnO纳米线阵列并对其进行了气敏测试。对于乙醇而言，所有传感器最佳工作温度均为280℃。溅射时间的增加(3~10 s)导致ZnO纳米线表面Pd纳米颗粒数量及尺寸增加，传感器响应值由2.0增至3.6。过长的溅射时间(30~150 s)将导致Pd颗粒尺寸急剧增大甚至形成连续膜，传感器响应度显著降低。所有传感器对H2均表现出相对较好的选择性，传感器具有较好的响应-恢复特性和稳定性。最后，探讨了Pd颗粒表面修饰对ZnO纳米线阵列气敏传感器气敏特性的影响机制。

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