作者：张岩,王彦照,宁吉丰,杨红伟,陈宏泰 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2017年第01期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2017010040 DOC编号：DOCBDTJ2017010049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《原子传感用垂直腔面发射激光器研究进展》PDF+DOC2020年第01期 张星,张建伟,张建,宁永强,王立军 《一种自混合传感器中VCSEL的优化设计》PDF+DOC2010年第08期 吴现濮,叶会英 《GaAs基霍尔传感器的研究进展》PDF+DOC2018年第08期 董健方,彭挺,高能武,金立川,钟智勇

    • 针对铷原子能级跃迁对光谱的特殊需求，设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)。根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果，设计了单模VCSEL芯片结构。采用MOCVD技术生长了外延结构，制备了不同有源区直径的氧化限制型VCSEL芯片并进行了测试。当有源区直径从6μm减小到3μm时，VCSEL芯片的边模抑制比(SMSR)由8.76 d B增加到34.05 d B，阈值电流由0.77 m A减小到0.35 m A。有源区直径为6，5，4和3μm的VCSEL芯片的输出功率分别为0.37，0.46，0.58和0.44 m W，有源区直径为4μm的VCSEL芯片的远场为圆形光束，发散角为15&#176；。85℃时3.5μm有源区直径的VCSEL芯片输出功率为0.125 m W，激射波长为795.3 nm。室温3 d B带宽大于8 GHz，满足了铷原子传感器对VCSEL单模光谱、输出功率及调制速率的要求。

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