作者:张震,徐作冬,程德艳,师宇斌,张检民 单位:中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版:《红外与激光工程》2017年第10期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHWYJ2017100010 DOC编号:DOCHWYJ2017100019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 用1 064 nm波长8 ns脉宽激光,以1-on-1模式辐照在评估板驱动工作下的FT50M型FTCCD图像传感器进行实验。结果显示,随着脉冲能量密度的逐渐提高,在FT-CCD输出图像中依次出现辐照点单侧黑线、白点、两侧白线等典型毁伤现象。这区别于IT-CCD在脉冲激光辐照下依次出现白点、白线的毁伤过程。通过对比FT-CCD与IT-CCD的结构异同,结合已知的IT-CCD的毁伤机制,分析认为单侧黑线毁伤现象的首先出现表明了FT-CCD多晶硅电极先于硅衬底受损的激光毁伤模式。文中丰富了对CCD图像传感器激光毁伤效应的认识,为深入探索CCD激光毁伤机制提供了新的线索。

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