《CaF_2--SiO_2型硅传感器辅助电极的制备及其定硅性能》PDF+DOC
作者：鞠靓辰,李杨,满文宽,郭敏,张梅
单位：北京科技大学
出版：《工程科学学报》2016年第04期
页数：8页 （PDF与DOC格式可能不同）
PDF编号：PDFBJKD2016040050
DOC编号：DOCBJKD2016040059
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以CaF_2+SiO_2作为硅传感器辅助电极材料，将其均匀涂覆于ZrO_2(MgO)固体电解质表面，在高纯Ar气保护下，1400℃焙烧30min制备得到定硅传感器.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能量色散谱仪系统研究了制备条件对于焙烧后形成的辅助电极膜层组成、物相和微观形貌的影响.膜层中不存在CaF2，而是以SiO2固体颗粒、CaO·；MgO·；2SiO_2固溶体及ZrSiO_4为主.另外，探讨了辅助电极膜层中物相的变化对于膜层黏结性以及定硅性能的影响.在1450℃下对铁液中硅含量进行测试，传感器响应时间在10s左右，稳定时间在20s以上，而且传感器的重复性也很理想.当铁液中硅质量分数在0.5%~1.5%时，硅传感器测量值与化学分析法分析值相吻合。
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