作者：林长龙,郭振义,孙欣茁,梁科,王锦,李国峰 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2016年第03期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2016030020 DOC编号：DOCBDTJ2016030029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍了一款基于0.4μm Bi CMOS工艺应用于温度补偿晶体振荡器的高性能温度传感器的设计。该温度传感器利用基极-发射极电压(VBE)减去与绝对温度成正比(PTAT)电流在电阻上的压降的原理，产生了与温度成线性的输出电压。采用包含两个串联发射结电压和低失调运算放大器的PTAT电流产生器，实现了高精度的PTAT电流；采用具有负温度系数的电阻，补偿了VBE的高阶温度特性；采用共源共栅结构，提高了输出电压的电源抑制。后仿真结果表明，当电源电压为3.3 V，温度范围为-40~85℃时，温度传感器的输出电压范围为0.964~1.490V，输出电压的斜率范围为-4.245&#215；10-3~-4.160&#215；10-3，斜率变化范围为8.5&#215；10-5，表明该温度传感器具有非常高的线性度。

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