作者：江海波,胡莉娟,陶启林,雷仁方 单位：上海市电子学会;上海市通信学会 出版：《》 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZJS2019010190 DOC编号：DOCDZJS2019010199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 对硅片背面减薄技术进行了介绍，阐述主流硅片减薄技术以及去除损伤层工艺方法。另外，结合集成电路发展趋势指出实现硅片大尺寸与薄型化减薄加工是减薄技术的发展趋势，实现方式包括联机化操作系统、TAIKO、DBG、键合减薄等，介绍背面减薄技术在TSV-3D封装、曲面CCD制作以及背面照射器件制备中的应用。

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