作者：王彦淇,王耀,全智 单位：四川固体电路研究所 出版：《微电子学》2020年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFMINI2020030050 DOC编号：DOCMINI2020030059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 提出一种皮瓦级、超低功耗的新型基准电压源。该电路利用工作在亚阈值区的不同类型MOS管的栅源电压差，获得在不同工艺角下均有良好温度特性的基准电压。同时，加入校准电路来减小工艺偏差对基准电压的影响。采用0.18μm CMOS工艺，对电路进行设计和仿真。仿真结果表明，该基准电压源的工作电压范围为0.6～2 V，线性灵敏度为0.13%/V；在TT工艺角、0.6 V电源电压下，电路典型功耗为130 pW；在-40℃～110℃范围内，校准后，温度系数范围为2.04&#215；10~(-5)/℃～9.38&#215；10~(-5)/℃。该电路适用于射频识别、无线传感器、医用植入式芯片等超低功耗片上系统中。

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