作者:王会丽,秦俊,康同同,张燕,聂立霞,艾万森,李艳芳,毕磊 单位:中国科学院上海光学精密机械研究所 出版:《激光与光电子学进展》2019年第20期 页数:9页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFJGDJ2019200120 DOC编号:DOCJGDJ2019200129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 提出了一种基于Au/Ce…YIG/TiN结构的磁光表面等离激元共振器件(MOSPR)。通过构建Au周期纳米盘、Ce…YIG薄膜和TiN薄膜三层结构,实现Au纳米盘局域表面等离激元共振(LSPR)和TiN/Ce…YIG界面传播型表面等离激元共振耦合,显著降低了LSPR的散射损耗,并实现了磁光效应的显著增强。MOSPR的横向磁光克尔效应(TMOKE)信号的绝对值达0.21。应用这一器件制备传感器,借助磁光氧化物的强磁光效应,可以显著提高LSPR传感器的品质因数(FoM)。基于TMOKE谱进行传感,器件的FoM可达2192.4586RIU-1。该研究为高灵敏度、高FoM LSPR器件的制备提供了一种新思路。

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