作者：郭智勇,贾芸芳 单位：中国仪器仪表学会 出版：《化学传感器》2017年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHXCH2017040090 DOC编号：DOCHXCH2017040099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 提出了一种用于液体中汞离子检测的石墨烯场效应晶体管(graphene field effect transistor，GFET)型适体传感器，其中GFET采用丝网印刷技术制备，其栅极表面采用共价键交联技术固定汞离子适体探针。使用安捷伦B2923A对制备GFET型汞离子适体传感器进行实验测试，实验结果显示当汞离子浓度从0.1nmol/L至4 nmol/L变化时，在固定工作条件下，GFET输出电流变化曲线随被测汞离子浓度增加而减小，当汞离子浓度达到1 nmol/L时输出电流达到饱和；在汞离子浓度为0.1~1 nmol/L时，归一化输出电流随汞离子浓度变化增加而降低，线性相关系数(r~2)为0.8708。

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