作者：赵冬青,杨志文,焦新泉,夏忠海,姜喜洋 单位：东南大学 出版：《电子器件》2019年第04期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ2019040480 DOC编号：DOCDZQJ2019040489 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 在高过载环境下推进剂药柱会产生轴向形变并对药壳产生挤压应力，目前对其研究主要集中在理论方面，对药壳的挤压应力和推进剂药柱轴收缩长度测量基本属于空白阶段。针对上述问题，研制了一种测量高过载下药柱蠕变特性的系统，利用应变片和PSD位置传感器，实现了对高过载下药柱压力和位移的测量。最后对测量系统分别进行了静态标定和模拟瞬间高过载的过载冲击试验，试验结果表明：该系统具有测量精度高、可靠性强的特点。

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