作者：李赵春,王刚,于凌宇,吴哲 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2019年第11期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2019110190 DOC编号：DOCCGQJ2019110199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对磁流变阻尼器内部铁磁材料所固有的磁滞非线性，根据反馈磁感应强度的磁滞补偿控制方法，设计了磁滞补偿控制器。以STM32F103ZET6单片机为控制核心，通过设计霍尔传感器的调理电路、脉宽调制(PWM)信号滤波电路、电压放大电路，以及实时化的比例—积分—微分(PID)控制算法和人机交互界面，实现了磁流变阻尼器磁滞补偿控制器的功能。通过实验验证了控制器在窗函数、阶梯函数和半正弦函数等三种不同输入电流条件下的磁滞补偿控制效果。实验结果表明：相比无磁滞补偿控制，在磁滞补偿控制器的作用下，磁流变阻尼器的阻尼通道磁场能较好地跟踪控制电流，验证了磁滞补偿控制器的有效性。

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