作者：蔡志清 单位：中国电子学会 出版：《电子技术与软件工程》2019年第04期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZRU2019040580 DOC编号：DOCDZRU2019040589 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • GaN器件与第二代的砷化镓(GaAs)器件相比，具有功率密度更高，耐高温特性更好，禁带更宽等优点。本文简要介绍GaN器件的几种最新技术和其在诸如“太空篱笆”系统、三坐标远程雷达(3DELRR)、驱逐舰防空反导雷达(AMDR)的几种应用实例。

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