作者：郭玉刚,饶浩,陶茂军,田雷,吴佐飞 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2018年第11期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2018110280 DOC编号：DOCCGQJ2018110289 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《用于恶劣环境的耐高温压力传感器(英文)》PDF+DOC2009年第06期 赵立波,赵玉龙 《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC2015年第09期 李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军 《一种MEMS高温压力传感器》PDF+DOC2016年第06期 王伟忠,何洪涛,卞玉民,杨拥军 《高温压力传感器现状与展望》PDF+DOC2002年第04期 张为,姚素英,张生才,刘艳艳,曲宏伟 《同时具有电压输出和频率输出的集成压阻压力传感器》PDF+DOC1985年第04期 S.Sugiyama,李华 《绝缘体上硅高温压力传感器研究》PDF+DOC2004年第02期 张为,姚素英,张生才,赵毅强,张维新 《多晶硅高温压力传感器的芯片内温度补偿》PDF+DOC2004年第01期 庞科,张生才,姚素英,张为 《多晶硅高温压力传感器的温度特性》PDF+DOC2002年第01期 张为,姚素英,张生才,曲宏伟,刘艳艳,张维新 《高温压力传感器温度特性的芯片内补偿技术》PDF+DOC2002年第02期 曲宏伟,姚素英,张生才,赵毅强,张为 《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC2014年第04期 王伟,梁庭,李赛男,洪应平,葛冰儿,郑庭丽,贾平岗,熊继军

    • 研制了一种基于微机电系统(MEMS)技术的压阻式绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器芯片。压力敏感电阻器与衬底之间采用二氧化硅介质隔离，解决了传统的PN结隔离方式在高温条件下的漏电失效问题。研制的高温压力芯片压力量程为0~2 MPa，室温1 m A条件下满量程输出信号达到100 m V以上，非线性小于0.15%FS，压力迟滞小于0.05%FS。在-55~+150℃温度范围内，零点温度系数小于20μV/℃，灵敏度温度系数小于0.02%FS/℃，零点温度迟滞小于0.1%FS。将芯片样本在150℃环境下进行了短期零点时漂测试验证其稳定性，结果优于0.05%FS。

    📙 相关资料

    1. 《用于恶劣环境的耐高温压力传感器(英文)》PDF+DOC 为了解决如高温200℃等恶劣环境下的压力测量问题，基于微机电系统(MEMS)和高能氧离子注入(SIMOX)技术，研制了一种量程为0～120kPa的压阻式压力传感器。该传感器芯片由硅基底、薄层二氧化硅、惠斯登电桥结构的硼离子注入层、氮化硅应力匹配层、钛-铂-金梁式引线层和由湿法刻蚀形成的空腔组成。在氧......
    2. 《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC 利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散，刻蚀，氧化，金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片，并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔，最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温下的加压测试，高温压力测试结果表明，在21℃(常温)至300℃的温度......
    3. 《一种MEMS高温压力传感器》PDF+DOC 基于硅压阻效应，利用微电子机械系统(MEMS)技术，研制了一种可用于多种领域的高温绝压压力传感器。为了达到耐高温的目标，传感器芯片采用绝缘体上硅(SOI)硅片加工，并利用有限元软件ANSYS对传感器芯片结构进行了应力仿真分析。同时，对传感器的电阻结构、金属布线系统、传感器支撑层键合技术及流片工艺进行......
    4. 《高温压力传感器现状与展望》PDF+DOC 论述了多晶硅、SOI(绝缘体上硅 )、碳化硅、SOS(蓝宝石上硅 )、石英、溅射合金薄膜、陶瓷厚膜和光纤等高温压力传感器的基本结构、工作原理、特点及研究现状 ，展望了压力传感器的未来。...
    5. 《同时具有电压输出和频率输出的集成压阻压力传感器》PDF+DOC 研制出了一种同时具有“电压输出和频率输出的集成压阻压力传感器。利用标准双极集成电路工艺制成了具有尺寸3&#215；3.8mm~2的传感器芯片。对于从0到750MMHg的压力范围，输出电压工作幅宽为1到4伏。电压输出的压力灵敏度为4mv/mmHg。非线性度小于满量程的0.4％。对于750MMH......
    6. 《绝缘体上硅高温压力传感器研究》PDF+DOC 采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计，制作出样品，并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试.结果表明：1∶2的膜片宽长比可以使SOI压力传感器的灵敏度达到220mV/MPa，远大于多晶硅压力传感器的灵敏度(约50mV/MPa).此外，......
    7. 《多晶硅高温压力传感器的芯片内温度补偿》PDF+DOC 提出了一种新的改善传感器温度特性的方法。通过在压力传感器芯片上集成多晶硅电阻网络与温度传感器 ，借助传感器信号处理单元 ，可以方便地实现对灵敏度系数的补偿。经过补偿 ，传感器的零点温漂达到 1&#215；10 - 4/℃ ，灵敏度温漂低于 - 2&#215；...
    8. 《多晶硅高温压力传感器的温度特性》PDF+DOC 讨论了改善多晶硅高温压力传感器温度特性的 3种措施 ：用四甲基氢氧化铵溶液代替氢氧化钾溶液作硅杯各向异性腐蚀剂 ；优化多晶硅压敏电阻的掺杂浓度 ，实现传感器灵敏度温度漂移自补偿 ；在传感器芯片上加做温敏电阻 ，通过调节激励源的温度特性 ，进一步减小传感器灵敏度温度系数 .采用以上措施 ，使多晶硅压力......
    9. 《高温压力传感器温度特性的芯片内补偿技术》PDF+DOC 本文在分析、测试多晶硅高温压力传感器温度特性的基础上 ，提出了一种新的改善传感器温度特性的措施。通过在压力传感器芯片上集成低阻值的多晶硅电阻网络与温度传感器 ，不仅可以很好的补偿传感器的零点温漂 ，也可以借助传感器信号处理单元 ，方便地实现对灵敏度温度系数的补偿。经补偿 ，传感器的零点温漂达到 1&......
    10. 《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC 从传感器的受力结构、能量转化结构和金属引线三个方面对SOI压阻式压力传感器芯片进行高温设计，计算出每个因素所造成的影响并与外部气压对传感器造成的影响进行对比，并给出了压阻的工艺尺寸和掺杂浓度。通过工艺制备和封装，研制出耐高温压力传感器芯片，常温压力测试结果表明传感器敏感芯片在常温下灵敏度较高，非线性......

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。