作者:卞玉民,鲁磊,杨拥军 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》2018年第06期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ2018060070 DOC编号:DOCBDTQ2018060079 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一种MEMS高温压力传感器》PDF+DOC2016年第06期 王伟忠,何洪涛,卞玉民,杨拥军 《谐振式MEMS压力传感器的制作及圆片级真空封装》PDF+DOC2014年第05期 陈德勇,曹明威,王军波,焦海龙,张健 《MEMS传感器现状及应用》PDF+DOC2015年第04期 武金亮,周琦,高晓宇,胡梦晴,秦东林 《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC2015年第09期 李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军 《MEMS智能传感器技术的新进展》PDF+DOC2019年第01期 赵正平 《SOI高温压阻式压力传感器的设计与制备》PDF+DOC2018年第06期 李鑫,梁庭,赵丹,雷程,杨娇燕,李志强,王文涛,熊继军 《美国生物医学界的MEMS器件的应用和研究动向》PDF+DOC1996年第06期 黄智伟 ,李富英 《微电子机械系统(MEMS)发展研究》PDF+DOC2002年第03期 王宏 《微电子机械系统的研究进展》PDF+DOC2001年第01期 李炳乾,朱长纯,刘君华 《利用MEMS惯性感测技术实现应用变革》PDF+DOC2009年第06期 Stephen Wu
  • 基于半导体硅的压阻效应,研制了一种MEMS大量程压力传感器。为了实现大量程压力测量,采用了不锈钢材质制作了压力敏感膜片。利用有限元分析软件对传感器敏感芯体进行了结构建模仿真分析和优化设计。采用玻璃微熔技术将敏感电阻粘结固定在不锈钢敏感膜片上。利用成熟的微电子机械系统(MEMS)加工工艺,完成了可以在高温下工作的绝缘体上硅(SOI)敏感电阻的制作。采用激光焊接方法将敏感芯体焊接到传感器基座上,提高了结构的机械强度。信号调理采用了压力信号专用集成电路(ASIC),具有高精度的放大和温度补偿功能。完成了整体封装和调试后,对压力传感器的主要性能指标进行了测试,结果表明压力传感器的工作温度为-55~150℃,压力量程0~42 MPa,精度<0.5%。

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