作者:顾铮■,冯文斌 单位:中国光学学会;中国科学院西安光学精密机械研究所 出版:《光子学报》2018年第06期 页数:9页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGZXB2018060100 DOC编号:DOCGZXB2018060109 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 依据包层模有效折射率的概念及包层模场的光功率密度分布,重新审视了镀膜长周期光纤光栅“模式转换”现象,对“模式转换”给出了新的物理图像.通过修正镀膜长周期光纤光栅包层模有效折射率的范围,指出有效折射率呈现的台阶式增长是各次包层模自身属性的反映,不存在高次模式替代低次模式的过程,并将“模式转换区”重命名为“模式垒区”.通过分析包层模场的光功率密度分布,指出“模式转换区”较低次包层模式进入薄膜层传输说法的不合理性.研究表明,当薄膜厚度达到一定厚度时,包层模场光功率分布将愈加集中在薄膜层内部,但并非沿着薄膜层传输.讨论了镀膜长周期光纤光栅传感器薄膜参数优化的问题,在修正的包层模有效折射率范围和未修正的包层模有效折射率范围的情况下分别进行优化,并对优化结果进行比较,结果表明两种情况下的优化结果存在较大的偏差.从机理上解释了修正薄层模有效折射率范围后的优化结果的正确性,为设计高灵敏镀膜长周期光纤光栅传感器提供了新的理论指导。

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