作者：赵思晗,石云波,赵永祺,孙亚楠,任建军,李飞 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2018年第08期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2018080080 DOC编号：DOCBDTQ2018080089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为了提高传感器的测试精度、抑制传统传感器的横向效应问题，通过改变压阻排布方式设计了一种低横向效应的压阻式加速度传感器。该传感器采用8电阻十字梁结构，电阻全部对称排布在应力变化的线性区，使传感器在满足高灵敏度的同时消除了横向效应。通过有限元仿真分析得出该传感器的灵敏度为0.297 4μV/g，横向灵敏度为零，对封装后的传感器进行了Hopkinson杆冲击测试，横向灵敏度只占工作轴向灵敏度的1.1%，远小于相同结构尺寸下传统四电阻传感器的20.7%，而工作轴向灵敏度基本相同。实验表明，该传感器具有较高的工作轴向灵敏度和极低的横向灵敏度。

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