作者:李金华,陈王丽华,李坤,蔡忠龙 单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版:《压电与声光》2000年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYDSG2000020120 DOC编号:DOCYDSG2000020129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 用聚偏氟乙烯-三氯乙烯[P( VDF-TrFE)]薄膜作 16 X1集成热释电线性阵列的敏感膜,经退火和75 kV/mm场强极化后测得其相对介电常数为 12. 6,介电损耗约 0. 01。为了降低热导和热容,提高探测器的探测灵敏度,用KOH作化学腐蚀完全去除了线性阵列下方的硅衬底,形成悬空结构。用锁相放大器测定了该集成热释电线性阵列的电压灵敏度、电流灵敏度和噪声。实测得到最大电压灵敏度为107 V/W,最大探测率约5×10~6cmHz~1/2/W。

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