作者：夏先齐,茅保华 单位：中国计算机自动测量与控制技术协会 出版：《计算机测量与控制》1999年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJZCK901.0170 DOC编号：DOCJZCK901.0179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对器件低内阻下的高灵敏度这一器件特性上的难题，在砷化镓霍尔传感器设计中采用非对称十字形结构。在制作上采用全离子注入平面化技术，获得了在８００Ω内阻上大于２５ｍＶ／ｍＡ&#183；ＫＧ的高灵敏度。

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