作者:郑学仁,刘百勇,李斌,黎沛涛 单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版:《固体电子学研究与进展》1998年第02期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGTDZ1998020030 DOC编号:DOCGTDZ1998020039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 设计了一种具有片上读出电路的集成超声传感器新结构,并用PI膜来垫高扩展栅电极。和典型POSFET结构相比,所制作样品的灵敏度提高14dB以上,带宽可达7MHz,满足超声传感器需要。

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