作者:Carl H.Smith ,Robert W.Schneider ,本刊编辑部 单位:北京信息科技大学 出版:《传感器世界》1999年第06期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGSJ1999060010 DOC编号:DOCCGSJ1999060019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 从1988年法国科研人员首次发现高磁阻效应(GMR:Giant MagnetoResistance)以来,由于这些材料的高灵敏度、良好的温度稳定性和在较大测量范围内优异的线性,已在磁场测量及其它领域中获得了广泛应用。本文主要介绍高磁阻材料几种结构及其在磁场传感器中的应用。同时还将这种材料与传统磁场测量技术做了比较。将传感器和信号调理及输出电路集成在一起的集成高磁阻传感器,使高磁阻技术得到了进一步应用,本文也做相应介绍。

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