作者:吴宪平,胡美凤 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》1998年第01期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS1998010000 DOC编号:DOCCGJS1998010009 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 本文指出采用矩形双岛结构可以实现硅压力传感器的非线性内补偿.用一维近似模型分析计算了矩形双岛结构硅压力传感器硅芯片的应力分布及其与(100)硅各向异性腐蚀深度的关系,指出对已确定了几何尺寸的掩模,可以找到某一最佳腐蚀深度,使这时两对力敏电阻所受横向应力大小与其非线性值成反比.这样总的非线性为零值.通过实验证实了这一结论。

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