作者：王文生 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》1998年第10期 页数：11页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ1998100040 DOC编号：DOCCGSJ1998100049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 五、InSb磁敏电阻和传感器及应用 1、InSb磁敏电阻 与霍尔器件不同，InSb磁敏电阻像其它电阻器一样是一种纯电阻性两端元件，所不同的是它的电阻随磁场的变化而变化。根据图2中几何磁阻效应原理制造的InSb磁敏电阻的基本结构和电阻值与磁场的特性曲线如图10所示。 由图10(a)可见，一个长方体InSb材料被5条In短路条(它具有金属性质)分割

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