作者：曾亦可,刘梅冬,绕韫华 单位：华中科技大学 出版：《华中科技大学学报(自然科学版)》1999年第06期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHZLG906.0020 DOC编号：DOCHZLG906.0029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 用射频磁控溅射法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）结构衬底上沉积了高度Ｃ轴取向Ｌａ改性的ＰｂＴｉＯ３（ＰＬＴ１５）薄膜．研究了ＰＬＴ１５薄膜的电晕极化方法，用此方法同时对多个热释电敏感单元进行了极化．利用ＰＬＴ１５薄膜制备了热释电红外传感器，薄膜厚度是２μｍ，真空蒸发的Ｎｉ－Ｃｒ电极面积为１．２ｍｍ&#215；１．０ｍｍ，敏感元下的Ｓｉ（１００）基片用热ＫＯＨ和ＥＰＷ进行刻蚀．用所设计的热释电系数测试系统对ＰＬＴ１５薄膜样品进行了测试，研究了其热释电特性．测试结果表明，ＰＬＴ１５薄膜样品的热释电电流ｉｐ平均为２．１&#215；１０－１１Ａ，而对应的热释电系数ｐ为２．５２&#215；１０－８Ｃ&#183；（ｃｍ２&#183；Ｋ）－１．这类薄膜很适合制备红外传感器

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