作者:张劲松,冯国华,方军庆 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》1997年第03期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS703.0010 DOC编号:DOCYBJS703.0019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 本文研究了以半导体材料砷化镓霍尔器件与高性能稀土永磁材料构成的小位移传感器及其检测电路,推导了位移量与霍尔电势的关系,建立了传感器的数学模型,并对非线性和温度误差进行了理论分析,在传感器的设计上实现了变换器与变换电路的一体化封装。经实际应用证明,传感器可分辨的最小位移变化量为0.1μm,本测量系统切实可行,有一定的推广应用价值。

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