作者：J.D.Luttmer,高国龙 单位：中国科学院上海技术物理研究所 出版：《红外》1996年第02期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWAI1996020000 DOC编号：DOCHWAI1996020009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 得克萨斯仪器公司的微电子制造科学技术(MMST)计划，正在为九十年代中期发展一种通用的半导体器件制造技术。原位真空处理、组件式群集加工设备、基于传感器的实时过程控制以及计算机集成制造，是这项活动的基本组成部分。虽然这项计划的目标是发展和论证低容积、快循环时间和成本合理的硅微电子制造技术，但是这种技术也同样适用于HgCdTe、GaAs以及其它材料。本文讨论了MMST原理与技术在得克萨斯仪器公司HgCdTe焦平面列阵生产中的推广使用和发展。概略地介绍了通用加工组件、传感器以及能源的使用，并将它们在硅集成电路和HgCdTe焦平面列阵应用中的使用情况进行了比较。讨论了通用组件和为满足HgCdTe特定的加工要求而定制的组件。

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