作者:余晋岳,宋柏泉,周勇,蔡炳初 单位:上海交通大学 出版:《上海交通大学学报》1996年第07期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFSHJT607.0160 DOC编号:DOCSHJT607.0169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 用Biter粉纹技术研究了长×宽为40μm×300μm,厚度为40nm的微型NiFe磁阻元件,在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程,观察和分析了曲折状畴形成、Neel壁合并、封闭畴和钩形畴转变及Neel壁状态转变等一系列过程

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