作者:牛蒙年,丁辛芳,童勤义 单位:中国电子学会 出版:《电子学报》1996年第11期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZXU611.0080 DOC编号:DOCDZXU611.0089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文在表面基模型基础上,借用半导体物理中复合/产生概念,提出表面基/复合中心模型,并研究了含两种类型表面基的Si3N4绝缘体及其两种表面基(硅醇基和胺基)的比率对Si3N4栅pH-ISFET敏感性能和稳定性的影响,其结果与实验结果相符。对改善pH-ISFET传感器的敏感特性具有实际指导意义。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。